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低溫 Hybrid Bonding 顛覆 3D IC 堆疊極限：鎖與鑰 Cu/SiO₂ 結構引爆 HBM4 世代
低溫 Hybrid Bonding 如何顛覆 3D IC 堆疊極限 一、Hybrid Bonding為何成為延續摩爾定律的必經之路？ 在傳統摩爾微縮接近物理瓶頸、製程成本飆升之際， 3D 異質整合 被視為下一個黃金世代。Hybrid...
Kimi
2025年5月13日讀畢需時 4 分鐘
AI/HPC時代封裝革命：解析TC-NCF、MR-MUF與Hybrid Bonding三大關鍵技術
TC-NCF、Hybrid Bonding 與 MR-MUF 究竟有何差異？解密新世代封裝核心 隨著人工智慧（AI）與高效能運算（HPC）時代來臨，封裝技術已經不再只是簡單地「把晶片裝到基板上」而已，而是講求高度整合、高頻寬、高散熱與更高的可靠度。近年來圍繞著高頻寬記憶體（...
Kimi
2025年4月6日讀畢需時 9 分鐘
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